ダイヤモンド半導体

人工ダイヤモンド半導体はシリコンと比較してバンドギャップ約5倍、絶縁破壊電界30倍以上、熱伝導率約15倍という圧倒的な性能差を持つ究極の半導体材料です。本記事では両者の物性値や性能指数の違い、2025年の最新研究成果、実用化の課題と将来展望まで詳しく解説します。